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BAS21H_2
? NXP B.V. 2006. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 02 — 3 November 5 of 10
NXP Semiconductors
BAS21H
Single high-voltage switching diode
(1) Tamb
= 150
°C; typical values
(2) Tamb
=25°C; typical values
(3) Tamb=25°C; maximum values
Based on square wave currents.
Tj=25°C; prior to surge
Fig 1. Forward current as a function of forward
voltage
Fig 2. Non-repetitive peak forward current as a
function of pulse duration; maximum values
(1) VR=VRmax; maximum values
(2) VR
=VRmax; typical values
f = 1 MHz; Tamb
=25°C
Fig 3. Reverse current as a function of junction
temperature
Fig 4. Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values
600
IF
(mA)
0
10?1
021
VF
(V)
11010 102
103
4
200
400
mbg384
(1) (3)(2)
mbg703
10
1
102
IFSM
(A)
tp
(
μs)
mbg381
200
0 100
Tj
(
°C)
10
IR
(mA)
1
10-2
102
10-1
(1) (2)
mbg447
0.2
0482
6
VR
(V)
1.0
0.8
0.6
0.4
Cd
(pF)
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